RAM không còn là khái niệm xa lạ với người dùng máy tính. Nếu theo dõi các bài viết trên Quản Trị Mạng bạn chắc chắn đã đọc bài viết Tất tần tật về RAM laptop và những điều bạn cần biết. Hôm nay, chúng ta cũng nói về RAM nhưng không phải khái niệm hay cách dùng cơ bản mà là về những công nghệ RAM phổ biến nhất: DRAM, SRAM, SDRAM cũng như những công nghệ RAM mới hơn. Show
DRAM là gì?DRAM là viết tắt của Dynamic random-access memory (Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động hay RAM động), một loại bộ nhớ được sử dụng rộng rãi trên các hệ thống máy tính như là bộ nhớ chính. Xét về công suất, nó có thể đạt được 8GB cho mỗi chip trong IC hiện đại. Về mặt vật lý, DRAM lưu trữ mỗi bit dữ liệu trong một tụ điện riêng bên trong mạch tích hợp. Tụ điện có thể được nạp hoặc xả, hai trạng thái này đại diện cho hai trạng thái của một bit (thường được gọi là 0 và 1). DRAM được gọi là động vì nó cần được làm tươi (refresh) hoặc nạp điện sau khoảng vài mili giây để bù đắp cho sự rò rỉ điện từ tụ điện. Vì tụ điện bị rò điện nên nếu không được làm tươi hoặc nạp điện lại đều đặn thì các bit dữ liệu lưu trên DRAM sẽ mất dần. RAM truyền thống trên máy tính đều là DRAM. Những máy tính mới hơn sử dụng DDR (Dual Data Rate - tạm dịch: tốc độ dữ liệu kép) DRAM để nâng cao hiệu suất.  Một thanh DRAM DDR3 SRAM là gì?SRAM là viết tắt của Static random-access memory (Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên tĩnh hay RAM tĩnh). SRAM lưu giữ các bit dữ liệu trong bộ nhớ miễn là nguồn điện được cung cấp đầy đủ. Không giống như DRAM, lưu bit dữ liệu trong các pin chứa tụ điện và bóng bán dẫn, SRAM không cần phải làm tươi theo định kỳ. SRAM chỉ chứa bóng bán dẫn và biến tần, dữ liệu được đưa vào SRAM với sự trợ giúp của bitline và được chuyển tiếp bởi wordline. Biến tần được sử dụng để tạo feedback, dùng làm đầu vào cho các bóng bán dẫn, nhờ đó SRAM không cần phải làm mới hàng nghìn lần trong một chu kỳ như DRAM. Nhưng trong một bit bộ nhớ có 6 bóng bán dẫn của SRAM khiến cho nó khá cồng kềnh và đòi hỏi nhiều không gian hơn DRAM (1 bit bộ nhớ chỉ có 1 bóng bán dẫn của DRAM). Điện năng mà SRAM cần cũng nhiều hơn DRAM vì nó cần vận hành 6 bóng bán dẫn (thay vì 1 bóng như DRAM). SRAM nhanh hơn và đắt hơn DRAM, nó thường được sử dụng bên trong CPU [CPU là gì?]. Do tốc độ cao, SRAM cũng được sử dụng như bộ nhớ cache và bộ nhớ chính trong các máy chủ để có hiệu năng tốt nhất. Một chip RAM tĩnh từ một bản sao của Nintendo Entertainment System (2K x 8 bit). Nguồn ảnh: Wikipedia SDRAM là gì?SDRAM là viết tắt của Synchronous dynamic random access memory (Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ). SDRAM là DRAM được đồng bộ hóa với bus hệ thống. Đây là tên chung cho những loại DRAM khác nhau được đồng bộ hóa với tốc độ xung nhịp tối ưu của vi xử lý. SDRAM có thể chạy ở tốc độ xung nhịp cao hơn nhiều so với bộ nhớ thông thường. Được đồng bộ với bus của CPU và có khả năng chạy ở mức 133MHz, nhanh hơn khoảng 3 lần so với RAM FPM thông thường, nhanh hơn DRAM EDO và DRAM BEDO khoảng 2 lần. SDRAM đang dần thay thế DRAM EDO trong nhiều máy tính đời mới. Tám IC SDRAM trên một gói PC100 DIMM. Nguồn ảnh: Wikipedia MRAM là gì?MRAM là viết tắt của Magnetoresistive Random Access Memory (Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên từ điện trở hay RAM từ điện trở), là loại bộ nhớ không tự xóa, lưu trữ dữ liệu dựa trên nguyên lý hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (hay chính xác hơn là hiệu ứng từ điện trở chui hầm). MRAM lưu trữ thông tin trong nam châm nano. Độ trễ đọc có thể nhanh như bất cứ thứ gì trong CPU, độ trễ khi ghi là một nano giây (1 phần tỷ giây). Bộ nhớ này khá phức tạp và có bài viết chi tiết trên Wikipedia, bạn quan tâm có thể tìm đọc thêm nhé. MRAM sử dụng ít năng lượng hơn các công nghệ RAM khác, vì thế nó lý tưởng cho các bộ nhớ trên chip. Nó cũng có khả năng lưu trữ lớn hơn, thời gian truy cập nhanh hơn RAM thường. MRAM giữ lại nội dung cho đến khi máy tính bị ngắt điện. Hiện tại MRAM có mặt trên thị trường với dung lượng nhỏ, dung lượng lớn khá khó để đạt được. Những điều cần biết khi chọn mua mainboard ReRAM là gì?ReRAM là viết tắt của Resistive Random Access Memory (Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên điện trở hay RAM điện trở), một sự thay thế hiện đại cho công nghệ flash với cấu trúc và đặc điểm tương tự như MRAM. ReRAM có hai ưu điểm so với MRAM. ReRAM có điện trở cao hơn, cho phép cấu trúc bộ nhớ dày hơn, gọi là điểm tràn. Điều này dẫn đến diện tích ô nhớ (cell) ít hơn. ReRAM cũng có thể lưu trữ nhiều mức hơn cho mỗi ô, cho phép lưu trữ nhiều bit. Điều này nghĩa là một mảng ReRAM riêng lẻ có thể tăng công suất mà không cần tốn thêm diện tích. ReRAM với 7 bit cho mỗi ô đã được chứng minh là có thể đạt được. ReRAM có hai nhược điểm là cần điện áp cao tương đối để ghi và độ bền kém. Điện áp cao góp phần làm tiêu tốn năng lượng và làm cho việc tích hợp với các tiến trình CMOS trở nên khó khăn hơn. Vấn đề về độ bền của ReRAM khiến nó không được dùng để làm bộ nhớ cache. Nhìn chung, ReRAM đã đạt được tốc độ đọc, ghi ở mức nano giây, có nhiều tiềm năng cho đĩa, và công nghệ DRAM. PCM là gì?PCM là viết tắt của Phase change memory, bộ nhớ thay đổi pha, có nhiều đặc tính giống với ReRAM nhưng cơ chế vật lý thì hoàn toàn khác. Kết quả là, nó có độ bền thấp khoảng 10^8. Tuy nhiên, các nhà thiết kế hệ thống đã tạo ra những thủ thuật thông minh để khiến PCM có thể thay thế một số ứng dụng của DRAM. PCM cũng đã được chế tạo và những bộ phận tương thích với DIMM đã có sẵn. 14 bí quyết của thợ mua laptop cũ FRAM là gì?FRAM là viết tắt của Ferroelectric random access memory (Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên điện-sắt hay RAM điện-sắt), hoạt động theo cách tương tự như DRAM. Sự khác biệt chính là vật liệu trong tụ điện là nam châm và do đó, nó lưu trữ thông tin bằng cách thay đổi giá trị điện dung. Hãy tưởng tượng tụ điện như một thùng chứa điện, thì quá trình thay đổi giá trị điện dung này giống như việc thay đổi kích thước của thùng để lưu trữ thông tin. FRAM có độ bền rất cao, hơn 10^15. Có một số vấn đề với FRAM, nó có hiệu suất tương tự như DRAM nhưng không động nên đây là lợi thế duy nhất. Về mặt lý thuyết, FRAM tốt hơn DRAM nhưng nó chưa được đầu tư xứng đáng. FRAM của Ramtron. Nguồn ảnh: Wikipedia Kết luậnCó 3 lớp ứng dụng dành cho bộ nhớ, tùy thuộc từng lớp mà đòi hỏi về tốc độ hay mức tiêu hao năng lượng khác nhau: lưu trữ lâu dài, bộ nhớ chính và bộ nhớ cache trên chip. SRAM và DRAM là những công nghệ bộ nhớ cổ điển, khả biến và có thể mở rộng. Những công nghệ bộ nhớ mới hơn cho thấy hiệu suất nhanh hơn và bổ sung thêm tính năng không khả biến (non-volatility), giúp tiết kiệm lượng điện rò rỉ. Trong số những công nghệ này, MRAM và FRAM có độ bền tốt đủ để sử dụng trên chip. MRAM có độ trễ đạt yêu cầu đối với các mạch chip. ReRAM và PCM có khả năng thay thế công nghệ DRAM và dễ dàng vượt qua flash, disk cho việc lưu trữ lâu dài. Mời bạn đọc thêm:
RAM và DRAM là các chế độ của RAM mạch tích hợp trong đó SRAM sử dụng bóng bán dẫn và chốt trong xây dựng trong khi DRAM sử dụng tụ điện và bóng bán dẫn. Chúng có thể được phân biệt theo nhiều cách, chẳng hạn như SRAM tương đối nhanh hơn DRAM; do đó SRAM được sử dụng cho bộ nhớ đệm trong khi DRAM được sử dụng cho bộ nhớ chính. Bạn đang xem: Dram là gì
RAM (Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên) là một loại bộ nhớ đòi hỏi nguồn điện liên tục để lưu giữ dữ liệu trong đó, một khi nguồn điện bị ngắt, dữ liệu sẽ bị mất, đó là lý do tại sao nó được gọi là bộ nhớ dễ bay hơi. Có hai loại bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên (RAM) RAM tĩnh và RAM động và mỗi loại đều có những ưu nhược điểm riêng so với loại còn lại. Đây là hướng dẫn đầy đủ what is the difference between SRAM and dram, SRAM và DRAM cái nào tốt hơn, Tại sao DRAM cần được làm mới hàng nghìn lần? Sự khác biệt giữa SRAM và DRAMRAM tĩnh và RAM động đều khác nhau trong nhiều bối cảnh như tốc độ, dung lượng, v.v. Những khác biệt này xảy ra do sự khác biệt trong kỹ thuật được sử dụng để lưu trữ dữ liệu. DRAM sử dụng bóng bán dẫn và tụ điện đơn cho mỗi ô nhớ, trong khi mỗi ô nhớ của SRAM sử dụng một mảng 6 bóng bán dẫn. DRAM cần làm mới, trong khi SRAM không yêu cầu làm mới ô nhớ. Biểu đồ so sánh SRAM và dram
SRAM và định nghĩa dramDRAM stands for dynamic random access memory được sử dụng rộng rãi làm bộ nhớ chính cho một máy vi tính hệ thống. DRAM mất 1 bóng bán dẫn và 1 tụ điện để lưu trữ 1 bit. Nghĩa là Mỗi ô nhớ trong chip DRAM chứa một bit dữ liệu và bao gồm một bóng bán dẫn và một tụ điện. Transistor có chức năng như một công tắc cho phép mạch điều khiển trên chip nhớ đọc tụ điện hoặc thay đổi trạng thái của nó, trong khi tụ điện có nhiệm vụ giữ bit dữ liệu ở dạng 1 hoặc 0. Như chúng ta đã biết tụ điện giống như một thùng chứa các điện tử. Khi thùng chứa này đầy, nó ký hiệu 1, trong khi thùng rỗng chứa electron ký hiệu 0. Tuy nhiên, các tụ điện bị rò rỉ khiến chúng mất điện tích này và kết quả là “thùng chứa” trở nên trống rỗng chỉ sau một vài mili giây. Và để chip DRAM hoạt động, CPU hoặc bộ điều khiển bộ nhớ phải sạc lại các tụ điện chứa đầy các điện tử (và do đó chỉ ra 1) trước khi chúng phóng điện để giữ lại dữ liệu. Để làm điều này, bộ điều khiển bộ nhớ đọc dữ liệu và sau đó ghi lại nó. Điều này được gọi là làm mới và xảy ra hàng nghìn lần mỗi giây trong chip DRAM. Do phải làm mới dữ liệu liên tục, mất thời gian nên DRAM chậm hơn. Ứng dụng phổ biến nhất của DRAM như DDR3 là lưu trữ biến động cho máy tính. Mặc dù không nhanh như SRAM nhưng DRAM vẫn rất nhanh và có thể kết nối trực tiếp với bus CPU. Kích thước điển hình của DRAM là khoảng 1 đến 2GB trên điện thoại thông minh và máy tính bảng, và 4 đến 16GB trong máy tính xách tay. SRAM stands for static random access memory, Nó thường được sử dụng để xây dựng bộ nhớ rất nhanh, được gọi là bộ nhớ đệm. SRAM cần 6 bóng bán dẫn để lưu trữ 1 bit và nó nhanh hơn nhiều so với DRAM. RAM tĩnh sử dụng một công nghệ hoàn toàn khác so với DRAM. Trong RAM tĩnh, một dạng flip-flop giữ từng bit bộ nhớ. Một flip-flop cho ô nhớ cần 4 hoặc 6 bóng bán dẫn cùng với một số hệ thống dây điện nhưng không bao giờ phải làm mới. Điều này làm cho RAM tĩnh nhanh hơn đáng kể so với RAM động. Không giống như RAM động (DRAM), lưu trữ các bit trong các ô bao gồm tụ điện và bóng bán dẫn, SRAM không phải làm mới định kỳ. Tuy nhiên, vì nó có nhiều bộ phận hơn nên ô nhớ tĩnh chiếm nhiều không gian trên chip hơn ô nhớ động. Do đó, bạn nhận được ít bộ nhớ hơn trên mỗi chip và điều đó làm cho RAM tĩnh đắt hơn rất nhiều. It’s more Faster: Bởi vì SRAM không cần phải làm mới, nó thường nhanh hơn. Thời gian truy cập trung bình của DRAM là khoảng 60 nano giây, trong khi SRAM có thể cho thời gian truy cập thấp tới 10 nano giây. Ứng dụng phổ biến nhất của SRAM là dùng làm bộ nhớ đệm cho bộ xử lý (CPU). Trong thông số kỹ thuật của bộ xử lý, đây được liệt kê là bộ đệm L2 hoặc bộ đệm L3. Hiệu suất SRAM thực sự nhanh nhưng SRAM đắt, vì vậy các giá trị điển hình của bộ nhớ đệm L2 và L3 là 1MB đến 8MB.
tốc độ sram vs dramSRAM is typically faster than DRAM vì nó không có chu kỳ làm mới. Vì mỗi ô nhớ SRAM bao gồm 6 bóng bán dẫn không giống như ô nhớ DRAM, bao gồm 1 bóng bán dẫn và 1 tụ điện, chi phí cho mỗi ô nhớ trong SRAM cao hơn nhiều so với DRAM. Tôi hy vọng rằng bây giờ bạn có thể đã hiểu sự khác biệt between the SRAM and the DRAM. Và quan trọng là lý do đằng sau sự cần thiết phải làm mới RAM hàng trăm lần trong một chu kỳ đồng hồ. Vẫn có bất kỳ đề xuất truy vấn, vui lòng thảo luận trên các ý kiến. Cũng đọc |
